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次世代パワー半導体 : 省エネルギー社会に向けたデバイス開発の最前線
エヌ・ティー・エス, 2009. <BB30279894>
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1件~1件(全1件)
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No.
巻号
所蔵館
配置場所
請求記号
資料ID
状態
返却予定日
予約
0001
中央館
3F-東
549.8/ZI
0312017098704
通常
0件
No.
0001
巻号
所蔵館
中央館
配置場所
3F-東
請求記号
549.8/ZI
資料ID
0312017098704
状態
通常
返却予定日
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0件
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書誌詳細
標題および責任表示
次世代パワー半導体 : 省エネルギー社会に向けたデバイス開発の最前線
ジセダイ パワー ハンドウタイ : ショウエネルギー シャカイ ニ ムケタ デバイス カイハツ ノ サイゼンセン
出版・頒布事項
東京 : エヌ・ティー・エス , 2009.10
形態事項
3, 6, 376, 11p, 図版10p : 挿図 ; 27cm
巻号情報
ISBN
9784860432621
注記
著者: 奥村元ほか
注記
参考文献・引用文献: 節末
学情ID
BA91684638
本文言語コード
日本語
著者標目リンク
奥村, 元
オクムラ, ハジメ <>
分類標目
電子工学 NDC9:549.8
件名標目等
半導体||ハンドウタイ
件名標目等
パワーエレクトロニクス||パワーエレクトロニクス
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